Name: FDC2612_F095
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDC2612_F095
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

FDC2612_F095

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Numero di parte	FDC2612_F095
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Scheda dati	FDC2612_F095 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche FDC2612_F095

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	PowerTrench?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	234pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	725 mOhm @ 1.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT?-6
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica FDC2612_F095

FDC2612_F095 Packaging

FDC2612_F095 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

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D# FDC2612_F095-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

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