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FCH150N65F_F155

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Numero di parte FCH150N65F_F155
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 650V 24A
Scheda dati

FCH150N65F_F155 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche FCH150N65F_F155

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieSuperFET? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3737pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 Long Leads
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica FCH150N65F_F155

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCH150N65F_F155 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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MOSFET N-CH 650V 24A TO247

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SUPERFET2 650V, 150 MOHM, FRFET

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ON Semiconductor

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115
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ON Semiconductor

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MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET , 650 V, 24 A, 150 mO, TO-247

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D# 22AC4441

ON Semiconductor

SUPERFET2 650V, 150 MOHM, FRFET, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:24A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.133ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:5V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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