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FCD4N60TF

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FCD4N60TF

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Numero di parte FCD4N60TF
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Scheda dati

FCD4N60TF Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FCD4N60TF

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieSuperFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds540pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FCD4N60TF

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FCD4N60TF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCD4N60TF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FCD4N60TF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FCD4N60TF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FCD4N60TF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FCD4N60TF price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 3.9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET DPAK-3

852
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MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

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