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FCD260N65S3

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Numero di parte FCD260N65S3
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche FCD260N65S3

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieSuperFET® III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1010 pF @ 400 V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / casoTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

FCD260N65S3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCD260N65S3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FCD260N65S3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FCD260N65S3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FCD260N65S3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of FCD260N65S3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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