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ESH1B-M3/5AT

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Numero di parte ESH1B-M3/5AT
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Scheda dati
pacchetto DO-214AC, SMA
ECAD
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Specifiche ESH1B-M3/5AT

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoDO-214AC, SMA
ECAD
Serie-
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Corrente - Rettificato medio (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If900mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura operativa - Giunzione-55°C ~ 175°C

ESH1B-M3/5AT Packaging

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Sealing
Packing
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ESH1B-M3/5AT FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ESH1B-M3/5AT is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ESH1B-M3/5AT. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ESH1B-M3/5AT on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ESH1B-M3/5AT products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the ESH1B-M3/5AT price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ESH1B-M3/5AT?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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D# V36:1790_18773167

Vishay Intertechnologies

Rectifier Diode Switching 100V 1A 25ns 2-Pin SMA T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

ESH1B-M3/5AT

D# ESH1B-M3/5AT

Vishay Intertechnologies

Diode Switching 100V 1A T/R (Alt: ESH1B-M3/5AT)

0
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Vishay Semiconductors

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

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