| Numero di parte | EMG2DXV5T1G |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-553 |
| ECAD |
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| A magazzino | 36.480 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| pacchetto | SOT-553 |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 230mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-553 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
EMG2DXV5T1G |
ON Semiconductor |
Dual Bias Resistor Transistors |
2550 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
EMG2DXV5T1G D# EMG2DXV5T1G-ND |
ON Semiconductor |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
EMG2DXV5T1G |
ON Semiconductor |
In stock shipping within 2days |
2951 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
EMG2DXV5T1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
863 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
EMG2DXV5T1G D# NS-EMG2DXV5T1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
5377 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
EMG2DXV5T1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
5016 |
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