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EFC3J018NUZTDG

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Numero di parte EFC3J018NUZTDG
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche EFC3J018NUZTDG

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETMOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2.5W (Ta)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore6-WLCSP (1.77x3.05)

EFC3J018NUZTDG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the EFC3J018NUZTDG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including EFC3J018NUZTDG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of EFC3J018NUZTDG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of EFC3J018NUZTDG?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of EFC3J018NUZTDG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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