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DTC363EUT106

DTC363EUT106

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Numero di parte DTC363EUT106
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Scheda dati

DTC363EUT106 Scheda dati

pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
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Specifiche DTC363EUT106

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)20V
Resistor - Base (R1) (Ohms)6.8k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)6.8k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic80mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreUMT3

Scheda tecnica DTC363EUT106

DTC363EUT106 Packaging

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Sealing
Packing
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DTC363EUT106 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DTC363EUT106 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the DTC363EUT106. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including DTC363EUT106 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of DTC363EUT106 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the DTC363EUT106 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DTC363EUT106?
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