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DMT3020UFDB-13

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Numero di parte DMT3020UFDB-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche DMT3020UFDB-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETMOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds383pF @ 15V
Potenza - Max860mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

DMT3020UFDB-13 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

DMT3020UFDB-13 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DMT3020UFDB-13 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the DMT3020UFDB-13. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including DMT3020UFDB-13 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of DMT3020UFDB-13 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the DMT3020UFDB-13 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DMT3020UFDB-13?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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