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DMT3009UFVW-13

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Numero di parte DMT3009UFVW-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
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pacchetto -
ECAD
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Specifiche DMT3009UFVW-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.6A (Ta), 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds894 pF @ 15 V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

DMT3009UFVW-13 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

DMT3009UFVW-13 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DMT3009UFVW-13 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the DMT3009UFVW-13. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including DMT3009UFVW-13 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of DMT3009UFVW-13 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the DMT3009UFVW-13 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT3009UFVW-13.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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