Name: DMT12H090LFDF4-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT12H090LFDF4-13
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

DMT12H090LFDF4-13

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Numero di parte	DMT12H090LFDF4-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche DMT12H090LFDF4-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	115 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	251 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	X2-DFN2020-6
Pacchetto / caso	6-PowerXDFN

DMT12H090LFDF4-13 Packaging

DMT12H090LFDF4-13 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT12H090LFDF4-13.

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(1)Inform us within 90 days

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