Name: DMT12H060LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT12H060LFDF-13
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

DMT12H060LFDF-13

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Numero di parte	DMT12H060LFDF-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Tempo di consegna stimato	nov 29 - dic 4 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche DMT12H060LFDF-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	115 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	475 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad

DMT12H060LFDF-13 Packaging

DMT12H060LFDF-13 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT12H060LFDF-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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