Name: DMT10H9M9LCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H9M9LCT
Availability: InStock
Rating: 5 (81 reviews)

DMT10H9M9LCT

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Numero di parte	DMT10H9M9LCT
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche DMT10H9M9LCT

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	101A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40.2 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2309 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

DMT10H9M9LCT Packaging

DMT10H9M9LCT FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT10H9M9LCT.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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