Name: DMT10H072LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H072LFDF-13
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

DMT10H072LFDF-13

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Numero di parte	DMT10H072LFDF-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	nov 18 - nov 23 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche DMT10H072LFDF-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.1 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	266 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad

DMT10H072LFDF-13 Packaging

DMT10H072LFDF-13 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMT10H072LFDF-13 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMT10H072LFDF-13 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT10H072LFDF-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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