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DMT10H072LDV-7

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Numero di parte DMT10H072LDV-7
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche DMT10H072LDV-7

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETMOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds228pF @ 50V
Potenza - Max1W (Ta)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8 (Type UXC)

DMT10H072LDV-7 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

DMT10H072LDV-7 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DMT10H072LDV-7 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the DMT10H072LDV-7. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including DMT10H072LDV-7 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of DMT10H072LDV-7 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the DMT10H072LDV-7 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DMT10H072LDV-7?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT10H072LDV-7.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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