Name: DMT10H025LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H025LSS-13
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

DMT10H025LSS-13

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Numero di parte	DMT10H025LSS-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche DMT10H025LSS-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.9 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1639 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMT10H025LSS-13 Packaging

DMT10H025LSS-13 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMT10H025LSS-13 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMT10H025LSS-13 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT10H025LSS-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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