Name: DMT10H010LSSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LSSQ-13
Availability: InStock
Rating: 5 (130 reviews)

DMT10H010LSSQ-13

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Numero di parte	DMT10H010LSSQ-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche DMT10H010LSSQ-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58.4 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4166 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMT10H010LSSQ-13 Packaging

DMT10H010LSSQ-13 FAQ

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Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMT10H010LSSQ-13 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMT10H010LSSQ-13 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT10H010LSSQ-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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