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DMP3017SFGQ-13

DMP3017SFGQ-13

DMP3017SFGQ-13

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte DMP3017SFGQ-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET P-CH 30V 11.5A
Scheda dati

DMP3017SFGQ-13 Scheda dati

pacchetto 8-PowerWDFN
ECAD
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Specifiche DMP3017SFGQ-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerWDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2246pF @ 15V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 11.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8
Pacchetto / caso8-PowerWDFN

Scheda tecnica DMP3017SFGQ-13

DMP3017SFGQ-13 Packaging

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Sealing
Packing
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D# DMP3017SFGQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333 - Tape and Reel (Alt: DMP3017SFGQ-13)

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MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333 (Alt: DMP3017SFGQ-13)

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MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

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MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A

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