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DMN67D8LDW-13

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DMN67D8LDW-13

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Numero di parte DMN67D8LDW-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Scheda dati

DMN67D8LDW-13 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche DMN67D8LDW-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.82nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
Potenza - Max320mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

Scheda tecnica DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

DMN67D8LDW-13 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DMN67D8LDW-13 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the DMN67D8LDW-13 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DMN67D8LDW-13?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

DMN67D8LDW-13

D# DMN67D8LDW-13

Diodes Incorporated

Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 60V 230mA 6-Pin SOT-363 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN67D8LDW-13)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

DMN67D8LDW-13

D# DMN67D8LDW-13-ND

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

DMN67D8LDW-13

D# 621-DMN67D8LDW-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS

RoHS: Compliant
6855
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

DMN67D8LDW13

Diodes Incorporated

OEM/CM ONLY

50095
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

DMN67D8LDW-13

D# 31083357

Zetex / Diodes Inc

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

RoHS: Compliant
0

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