Name: DMN3112SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3112SSS-13
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

DMN3112SSS-13

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Numero di parte	DMN3112SSS-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
Scheda dati	DMN3112SSS-13 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche DMN3112SSS-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 5.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13 Packaging

DMN3112SSS-13 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that DMN3112SSS-13 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the DMN3112SSS-13 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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