Name: DMN3066LVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3066LVTQ-7
Availability: InStock
Rating: 5 (182 reviews)

DMN3066LVTQ-7

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Numero di parte	DMN3066LVTQ-7
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	ott 1 - ott 6 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche DMN3066LVTQ-7

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 10 V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 2.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSOT-26
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMN3066LVTQ-7 Packaging

DMN3066LVTQ-7 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMN3066LVTQ-7 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMN3066LVTQ-7 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMN3066LVTQ-7.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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