Name: DMN3029LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3029LFG-7
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

DMN3029LFG-7

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Numero di parte	DMN3029LFG-7
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Scheda dati	DMN3029LFG-7 Scheda dati
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
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Specifiche DMN3029LFG-7

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 15V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.6 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN

Scheda tecnica DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7 Packaging

DMN3029LFG-7 FAQ

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3. Are the DMN3029LFG-7 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K - Tape and Reel (Alt: DMN3029LFG-7)

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MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8

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MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W

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