Name: DMN2013UFX-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2013UFX-7
Availability: InStock
Rating: 5 (121 reviews)

DMN2013UFX-7

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Numero di parte	DMN2013UFX-7
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Scheda dati	DMN2013UFX-7 Scheda dati
pacchetto	6-VFDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	3.472 piece(s)
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Specifiche DMN2013UFX-7

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-VFDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57.4nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2607pF @ 10V
Potenza - Max	780mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	W-DFN5020-6

Scheda tecnica DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7 Packaging

DMN2013UFX-7 FAQ

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3. Are the DMN2013UFX-7 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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DMN2013UFX-7

D# DMN2013UFX-7

Diodes Incorporated

Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 20V 10A 6-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: DMN2013UFX-7)

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DMN2013UFX-7

Diodes Incorporated

3000

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D# DMN2013UFX-7-ND

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MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

RoHS: Compliant

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