Name: DMN1016UCB6-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1016UCB6-7
Availability: InStock
Rating: 5 (123 reviews)

DMN1016UCB6-7

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Numero di parte	DMN1016UCB6-7
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Scheda dati	DMN1016UCB6-7 Scheda dati
pacchetto	6-UFBGA, WLBGA
ECAD
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Specifiche DMN1016UCB6-7

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	6-UFBGA, WLBGA
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	423pF @ 6V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	920mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-WLB1510-6
Pacchetto / caso	6-UFBGA, WLBGA

Scheda tecnica DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7 Packaging

DMN1016UCB6-7 FAQ

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3. Are the DMN1016UCB6-7 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMN1016UCB6-7.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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DMN1016UCB6-7

D# DMN1016UCB6-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1015-6 T&R 3K - Tape and Reel (Alt: DMN1016UCB6-7)

RoHS: Compliant

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DMN1016UCB6-7

D# DMN1016UCB6-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1015-6 T&R 3K (Alt: DMN1016UCB6-7)

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DMN1016UCB6-7

D# DMN1016UCB6-7DICT-ND

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

5140

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9000

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D# 621-DMN1016UCB6-7

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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

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