Name: DMG8880LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG8880LSS-13
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

DMG8880LSS-13

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Numero di parte	DMG8880LSS-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Scheda dati	DMG8880LSS-13 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche DMG8880LSS-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1289pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.43W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 11.6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13 Packaging

DMG8880LSS-13 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that DMG8880LSS-13 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the DMG8880LSS-13 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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DMG8880LSS Series 30 V 10 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8

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