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CSD75211W1723

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CSD75211W1723

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Numero di parte CSD75211W1723
Produttore Texas Instruments
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
Scheda dati

CSD75211W1723 Scheda dati

pacchetto 12-UFBGA, DSBGA
ECAD
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Specifiche CSD75211W1723

ProduttoreTexas Instruments
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto12-UFBGA, DSBGA
ECAD
SerieNexFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
Potenza - Max1.5W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso12-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo fornitore12-DSBGA

Scheda tecnica CSD75211W1723

CSD75211W1723 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that CSD75211W1723 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Texas Instruments

479
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Texas Instruments

DUAL P CHANNEL NEXFET POWER MOSFET, -20V, -4.5A, DSBGA-12, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.5A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):46mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, No. of Pins:12 , RoHS Compliant: Yes

2615
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

CSD75211W1723

D# 2156-CSD75211W1723-ND

Rochester Electronics LLC

P-CHANNEL POWER MOSFET

0
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30648
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