Name: CSD25301W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD25301W1015
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

CSD25301W1015

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Numero di parte	CSD25301W1015
Produttore	Texas Instruments
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
Scheda dati	CSD25301W1015 Scheda dati
pacchetto	6-UFBGA, DSBGA
ECAD
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Specifiche CSD25301W1015

Produttore	Texas Instruments
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	6-UFBGA, DSBGA
ECAD
Serie	NexFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DSBGA (1x1.5)
Pacchetto / caso	6-UFBGA, DSBGA

Scheda tecnica CSD25301W1015

CSD25301W1015 Packaging

CSD25301W1015 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that CSD25301W1015 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the CSD25301W1015 price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of CSD25301W1015?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the CSD25301W1015 we delivered, we will accept the replacement or return of the CSD25301W1015 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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