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CSD16323Q3C

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CSD16323Q3C

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Numero di parte CSD16323Q3C
Produttore Texas Instruments
Descrizione MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Scheda dati
pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche CSD16323Q3C

ProduttoreTexas Instruments
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieNexFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta), 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)3V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 12.5V
Vgs (massimo)+10V, -8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 24A, 8V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SON Exposed Pad (3x3)
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

CSD16323Q3C Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

CSD16323Q3C FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that CSD16323Q3C is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the CSD16323Q3C. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including CSD16323Q3C on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of CSD16323Q3C products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of CSD16323Q3C?
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