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C3M0160120J-TR

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Numero di parte C3M0160120J-TR
Produttore Wolfspeed, Inc.
Descrizione SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 2.400 piece(s)
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Specifiche C3M0160120J-TR

ProduttoreWolfspeed, Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieC3M™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 2.33mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 1000 V
Vgs (massimo)+15V, -4V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 8.5A, 15V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263-7
Pacchetto / casoTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

C3M0160120J-TR Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

C3M0160120J-TR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that C3M0160120J-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the C3M0160120J-TR price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of C3M0160120J-TR?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of C3M0160120J-TR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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