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C3M0160120J-TR

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Numero di parte C3M0160120J-TR
Produttore Wolfspeed, Inc.
Descrizione SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 2.400 piece(s)
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Specifiche C3M0160120J-TR

ProduttoreWolfspeed, Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieC3M™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 2.33mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 1000 V
Vgs (massimo)+15V, -4V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 8.5A, 15V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263-7
Pacchetto / casoTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

C3M0160120J-TR Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that C3M0160120J-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the C3M0160120J-TR price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of C3M0160120J-TR?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of C3M0160120J-TR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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