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C3M0120100J-TR

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Numero di parte C3M0120100J-TR
Produttore Wolfspeed, Inc.
Descrizione SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche C3M0120100J-TR

ProduttoreWolfspeed, Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieC3M™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 600 V
Vgs (massimo)+15V, -4V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK-7
Pacchetto / casoTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that C3M0120100J-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the C3M0120100J-TR price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of C3M0120100J-TR?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of C3M0120100J-TR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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