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C2M1000170J-TR

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte C2M1000170J-TR
Produttore Cree/Wolfspeed
Descrizione MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Scheda dati

C2M1000170J-TR Scheda dati

pacchetto TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
ECAD
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Specifiche C2M1000170J-TR

ProduttoreCree/Wolfspeed
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
ECAD
SerieC2M?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.1V @ 500µA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 1000V
Vgs (massimo)+25V, -10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 2A, 20V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK-7
Pacchetto / casoTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Scheda tecnica C2M1000170J-TR

C2M1000170J-TR Packaging

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Packing
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C2M1000170J-TR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that C2M1000170J-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the C2M1000170J-TR price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_14268621

Wolfspeed

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

C2M1000170J-TR

D# C2M1000170J-TR-ND

Wolfspeed

SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

C2M1000170JTR

CREE/WOLFSPEED

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1840
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

C2M1000170J-TR

D# C2M1000170J-TR

Wolfspeed

SILICON CARBIDE MOSFETS

RoHS: Compliant
0

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