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BY359-1500,127

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BY359-1500,127
Produttore NXP
Descrizione DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC
Scheda dati

BY359-1500,127 Scheda dati

pacchetto TO-220-2
ECAD
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Specifiche BY359-1500,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoTO-220-2
ECAD
Serie-
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)1500V
Corrente - Rettificato medio (Io)10A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8V @ 20A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)600ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 1300V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC
Temperatura operativa - Giunzione150°C (Max)

Scheda tecnica BY359-1500,127

BY359-1500,127 Packaging

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Packing
Insepction

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D# BY359-1500,127-ND

NXP Semiconductors

DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BY3591500127PHI

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686

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110

BY3591500127NXPN

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917
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BY359-1500,127

D# 70R3707

NXP Semiconductors

Diode, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.5kV, Forward Current If(AV):10A, Diode Configuration:Single, Forward Voltage VF Max:1.8V, Reverse Recovery Time trr Max:0.6µs, Forward Surge Current Ifsm Max:66A, Diode Case Style:SOD-59 RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BY359-1500-127

D# NS-BY359-1500-127

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OEM/CM ONLY

1552

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