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BUZ73AE3046XK

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Numero di parte BUZ73AE3046XK
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
Scheda dati

BUZ73AE3046XK Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUZ73AE3046XK

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds530pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUZ73AE3046XK is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUZ73AE3046XK. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUZ73AE3046XK on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUZ73AE3046XK products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BUZ73AE3046XK price and inventory displayed accurate?
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Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: BUZ73AE3046XK)

0
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D# 2156-BUZ73AE3046XK-IT-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

368
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

423
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 5.5A, 200V, 0.6ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
368

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