Name: BUZ32H3045AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ32H3045AATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

BUZ32H3045AATMA1

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Numero di parte	BUZ32H3045AATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Scheda dati	BUZ32H3045AATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUZ32H3045AATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica BUZ32H3045AATMA1

BUZ32H3045AATMA1 Packaging

BUZ32H3045AATMA1 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BUZ32H3045AATMA1

D# BUZ32H3045AATMA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3

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