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BUK9Y07-30B,115

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BUK9Y07-30B,115

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Numero di parte BUK9Y07-30B,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
Scheda dati

BUK9Y07-30B,115 Scheda dati

pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche BUK9Y07-30B,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 25V
Vgs (massimo)±15V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica BUK9Y07-30B,115

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Transistor MOSFET TrenchMOS N-Channel 30V 75A 4-Pin Power-SO8 T/R - Bulk (Alt: BUK9Y07-30B115)

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Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 75A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: BUK9Y07-30B,115)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 75A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: BUK9Y07-30B,115)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BUK9Y07-30B115

D# 2156-BUK9Y07-30B115-ND

Rochester Electronics LLC

NOW NEXPERIA BUK9Y07-30B - POWER

6000

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D# 1727-4610-1-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56

531
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

2962
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D# 771-BUK9Y07-30B115

Nexperia

MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET

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2389
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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK9Y07-30B - Power Field-Effect Transistor, 75A, 30V, 0.008ohm, N-Channel, MOSFET, MO-235

RoHS: Compliant
6000
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Nexperia

N-CHANNEL TRENCH LOGIC LEVEL

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