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BUK9E2R3-40E,127

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BUK9E2R3-40E,127

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK9E2R3-40E,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK9E2R3-40E,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13160pF @ 25V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E2R3-40E,127 Packaging

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Packing
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BUK9E2R3-40E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E2R3-40E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

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Rochester Electronics LLC

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