Name: BUK9E1R6-30E,127
Brand: NXP
SKU: BUK9E1R6-30E-127
Availability: InStock
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BUK9E1R6-30E,127

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Numero di parte	BUK9E1R6-30E,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Scheda dati
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK9E1R6-30E,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	113nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16150pF @ 25V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E1R6-30E,127 Packaging

BUK9E1R6-30E,127 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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NXP Semiconductors

MOS Power Transistors LV (< 200V) - Bulk (Alt: BUK9E1R6-30E,127)

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

115

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BUK9E1R630E127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

617

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