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BUK956R1-100E,127

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Numero di parte BUK956R1-100E,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK956R1-100E,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs133nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17460pF @ 25V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK956R1-100E,127 Packaging

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Packing
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BUK956R1-100E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK956R1-100E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUK956R1-100E,127. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUK956R1-100E,127 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUK956R1-100E,127 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BUK956R1-100E,127 price and inventory displayed accurate?
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Rochester Electronics LLC

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