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BUK952R8-60E,127

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BUK952R8-60E,127

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK952R8-60E,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK952R8-60E,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17450pF @ 25V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK952R8-60E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK952R8-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUK952R8-60E,127. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUK952R8-60E,127 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUK952R8-60E,127 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BUK952R8-60E,127 price and inventory displayed accurate?
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Transistor MOSFET N-Channel 60V 120A 3-Pin TO-220AB - Bulk (Alt: BUK952R8-60E,127)

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MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

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Rochester Electronics LLC

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