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BUK9516-75B,127

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BUK9516-75B,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 75V 67A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 7.632 piece(s)
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Specifiche BUK9516-75B,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C67A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4034pF @ 25V
Vgs (massimo)±15V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK9516-75B,127 Packaging

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Sealing
Packing
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Rochester Electronics LLC

PFET, 67A I(D), 75V, 0.018OHM, 1

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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NXP Semiconductors

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RoHS: Compliant
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