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BUK7E2R7-30B,127

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Numero di parte BUK7E2R7-30B,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK7E2R7-30B,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6212pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK7E2R7-30B,127 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK7E2R7-30B,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUK7E2R7-30B,127. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUK7E2R7-30B,127 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUK7E2R7-30B,127 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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PFET, 75A I(D), 30V, 0.0027OHM,

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 Rochester Electronics LLC

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RoHS: Compliant
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