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BUK7E13-60E,127

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BUK7E13-60E,127

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Numero di parte BUK7E13-60E,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Scheda dati

BUK7E13-60E,127 Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK7E13-60E,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1730pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica BUK7E13-60E,127

BUK7E13-60E,127 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK7E13-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BUK7E13-60E,127 price and inventory displayed accurate?
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 NXP Semiconductors

Transistor MOSFET N-Channel 60V 58A 3-Pin TO-262 - Bulk (Alt: BUK7E13-60E,127)

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MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK

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 NXP Semiconductors

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 Nexperia

MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET

RoHS: Compliant
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 NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK7E13-60E - 58A, 60V, 0.013ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-262AA

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