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BUK763R9-60E,118

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BUK763R9-60E,118

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Numero di parte BUK763R9-60E,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Scheda dati

BUK763R9-60E,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK763R9-60E,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs103nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7480pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK763R9-60E,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A T/R - Tape and Reel (Alt: BUK763R9-60E,118)

RoHS: Compliant
0
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A T/R (Alt: BUK763R9-60E,118)

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D# 1727-1066-1-ND

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