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BUK761R3-30E,118

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BUK761R3-30E,118

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Numero di parte BUK761R3-30E,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK761R3-30E,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11960pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK761R3-30E,118 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK761R3-30E,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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