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BUK752R7-60E,127

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Numero di parte BUK752R7-60E,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK752R7-60E,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs158nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11180pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK752R7-60E,127 Packaging

Customized Labels
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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK752R7-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Rochester Electronics LLC

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