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BUK7510-100B,127

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Numero di parte BUK7510-100B,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 5.760 piece(s)
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Specifiche BUK7510-100B,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6773pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK7510-100B,127 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK7510-100B,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Transistor MOSFET N-Channel 100V 75A 3 -Pin TO-220AB - Bulk (Alt: BUK7510-100B,127)

0
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D# 2156-BUK7510-100B127-ND

Rochester Electronics LLC

PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1

1139
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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NXP Semiconductors

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK7510-100B - 75A, 100V, 0.01ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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NXP Semiconductors

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