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BUK6E3R2-55C,127

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BUK6E3R2-55C,127

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Numero di parte BUK6E3R2-55C,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
Scheda dati

BUK6E3R2-55C,127 Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK6E3R2-55C,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs258nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15300pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK6E3R2-55C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# BUK6E3R2-55C,127

NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail - Bulk (Alt: BUK6E3R2-55C,127)

RoHS: Compliant
0
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D# 2156-BUK6E3R2-55C127-NE-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK

0
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5719
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

4005
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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK6E3R2-55C - 120A, 55V, 0.0048ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-262AA

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4973
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