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BUK6C3R3-75C,118

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BUK6C3R3-75C,118

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Numero di parte BUK6C3R3-75C,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK
Scheda dati

BUK6C3R3-75C,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
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Specifiche BUK6C3R3-75C,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C181A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs253nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15800pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Scheda tecnica BUK6C3R3-75C,118

BUK6C3R3-75C,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK6C3R3-75C,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BUK6C3R3-75C,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 75V 181A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R - Bulk (Alt: BUK6C3R3-75C,118)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BUK6C3R3-75C118

D# 2156-BUK6C3R3-75C118-ND

Rochester Electronics LLC

N CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE

0

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D# 2156-BUK6C3R3-75C,118-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK

3899
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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NXP Semiconductors

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 771-BUK6C3R3-75C,118

Nexperia

MOSFET N-chan TrenchMOS FET

RoHS: Compliant
3205
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NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK

RoHS: Compliant
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