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BUK664R6-40C,118

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BUK664R6-40C,118

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Numero di parte BUK664R6-40C,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Scheda dati

BUK664R6-40C,118 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK664R6-40C,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica BUK664R6-40C,118

BUK664R6-40C,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK664R6-40C,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V36:1790_06519768

 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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 NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Bulk (Alt: BUK664R6-40C,118)

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 0
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D# 2156-BUK664R6-40C118-ND

 Rochester Electronics LLC

PFET, 80A I(D), 40V, 0.0046OHM,

 3800
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 Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET

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