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BUK662R4-40C,118

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BUK662R4-40C,118

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Numero di parte BUK662R4-40C,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Scheda dati

BUK662R4-40C,118 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK662R4-40C,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs199nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11334pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica BUK662R4-40C,118

BUK662R4-40C,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK662R4-40C,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V36:1790_06519760

 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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 Nexperia

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